[CE] Flash Memory (or PROM Flash) and SSD (Solid State Disk)

read 의 경우에는 Random Access Memory (RAM)같이 동작하며,
write 의 경우에는 block-access를 수행하는
RAM같은 EEPROM 유형의 기억장치.

• 전기적으로 내용 변경 및 일괄 소거도 가능.
  • EEPROM의 일종이므로 전기적으로 내용변경이 가능함.
• RAM같은 ROM.
  • read의 경우 random access가능!
• 전원이 나가도 기억 유지.
  • DRAM처럼 bucket에 전자를 담아 기억하는 방식이나 DRAM과 달리 전자가 새지 않음(전원을 공급할 필요 없다.)
• 쉽게 쓰기 지우기 가능
  • 0에서 1로 변경을 하려면 우선 해당 데이터가 기록된 block 전체를 지우고 다시 기재해야함.
  • 특정 셀의 정보만 수정하는 처리가 안됨. ("block 단위"별로 지우고 다시 쓰기 수행)
  • 때문에 flash memory는 여러 block으로 나누어져 있음.
• 읽기/쓰기 수만번 가능.
  • 1비트를 저장하는 셀 하나당 쓰고 지우는 횟수의 한계가 존재함.
  • Flash memory를 Disk Drive 형태로 패키징 한 SSD에서는 셀들을 block으로 묶고, 이들 블록이 몇차례 기록이 되었는지를 카운트하여 구성 block들이 쓰고 지워진 횟수를 일정하게 유지시키는 wear leveling processor가 있음.

SSD의 경우, 최근 HDD를 대체하고 있는 추세임.