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방사선의 흐름에 영향을 미치지 않을 정도로 매우 작은 공동이 존재하고,
공동에서 공동벽과 내부기체 사이에
하전입자 평형 또는 광자에 의해 생성된 2차 하전입자의 전자평형 상태가 이루어진다는 가정할 경우, 1
벽물질과 공동기체의 흡수선량(단위 질량당 흡수에너지)의 비는 그 물질의 상대질량저지능의 비와 같다
Dm/Da = Sm/Sa
흡수선량을 측정하는 조직등가벽물질 전리함의 기본 원리임.
하전입자평형 (전자평형)
임의의 질량을 가지는 체적내에서 일정한 에너지를 가진 전자들이 체적내를 이탈하지만,
다른 하전입자들이 체적내로 유입되어 에너지 평형상태가 체적내에서 이루어지는 것.
유입되는 전자들의 에너지 총합과 유출되는 전자들의 에너지 총합이 같음을 의미.
- 공동에서 발생한 전자가 벽에 흡수되는 E양과 벽에서 발생하는 전자가 공동내로 이동해 들어오는 E양이 평형을 이룬다. [본문으로]
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